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真空鍍膜設(shè)備主要分類有兩個(gè)大種類

2019-05-22  來自: 肇慶高要區(qū)恒譽(yù)真空技術(shù)有限公司 瀏覽次數(shù):1074

  真空鍍膜設(shè)備主要分類有兩個(gè)大種類:

  真空鍍膜設(shè)備蒸發(fā)沉積鍍膜和濺射沉積鍍膜,具體則包括很多種類,包括真空離子蒸發(fā),磁控濺射,MBE分子束外延,溶膠凝膠法等等

  一、對(duì)于蒸發(fā)鍍膜:

  一般是加熱靶材使表面組分以原子團(tuán)或離子形式被蒸發(fā)出來,并且沉降在基片表面,通過成膜過程(散點(diǎn)-島狀結(jié)構(gòu)-迷走結(jié)構(gòu)-層狀生長(zhǎng))形成薄膜。

  厚度均勻性主要取決于:

  1、基片材料與靶材的晶格匹配程度

  2、基片表面溫度

  3、蒸發(fā)功率,速率

  4、真空度

  5、鍍膜時(shí)間,厚度大小。

  組分均勻性:

  蒸發(fā)鍍膜組分均勻性不是很容易保證,具體可以調(diào)控的因素同上,但是由于原理所限,對(duì)于非單一組分鍍膜,蒸發(fā)鍍膜的組分均勻性不好。

  晶向均勻性:

  1、晶格匹配度

  2、基片溫度

  3、蒸發(fā)速率

  二、.對(duì)于濺射類鍍膜,可以簡(jiǎn)單理解為利用電子或高能激光轟擊靶材,并使表面組分以原子團(tuán)或離子形式被濺射出來,并且終沉積在基片表面,經(jīng)歷成膜過程,終形成薄膜。

  濺射鍍膜又分為很多種,總體看,與蒸發(fā)鍍膜的不同點(diǎn)在于濺射速率將成為主要參數(shù)之一。

  濺射鍍膜中的激光濺射鍍膜pld,組分均勻性容易保持,而原子尺度的厚度均勻性相對(duì)較差(因?yàn)槭敲}沖濺射),晶向(外沿)生長(zhǎng)的控制也比較一般。以pld

  為例,因素主要有:靶材與基片的晶格匹配程度、鍍膜氛圍(低壓氣體氛圍)、基片溫度、激光器功率、脈沖頻率、濺射時(shí)間。對(duì)于不同的濺射材料和基片

  參數(shù)需要實(shí)驗(yàn)確定,是各不相同的,鍍膜設(shè)備的好壞主要在于能否精確控溫,能否保證好的真空度,能否保證好的真空腔清潔度


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